技术信息

[晶圆] 目标膜厚3μm,膜厚分布达到±3-5%以下。硫酸铜电镀实验结果示例

我们的硅片电镀设备已安装在许多大学和研究机构中,这里我们将介绍使用该设备进行的实验数据。

这次,我们使用标准的8英寸晶圆电镀设备,并以3μm的目标膜厚进行实验。

使用设备

A-52 硅片电镀实验设备 硅片
精密电源 YPP15100

〇电镀条件

电镀液硫酸铜电镀液(光亮浴;市售)
使用的样品8英寸硅片试片
当前密度1A/分平方米
目标膜厚 3微米
阳极磷铜
液体温度室温(25℃±1℃)
搅拌空气搅拌+桨叶搅拌

〇样品规格

样本量8寸
图案和晶圆规格八角形/方形接线(涡流)
线宽(L/S)5-100微米
圆形/方形凹凸10~500μm
晶圆厚度725μm
铜溅射 300纳米
抗蚀剂厚度5μm

〇电镀后样品外观/状况

左上:晶圆外观 右上:图案的放大视图 
左下:图案中心的涂层状况(3D) 右下:图案中心的涂层状况的放大视图

〇样本点

镀覆后,在以下9个点测定镀膜厚度。

〇镀膜厚度测量结果

各采样点的镀膜厚度值如下。对于3μm的电镀靶材,我们实现了
±3-5%以下的膜厚分布。


□40㎛□100㎛
A3.012 3.006
3.0062.934
C3.0362.857
d2.9592.871
e3.1893.026
F3.1913.023
G2.9612.975
H2.9292.867
3.0722.856
大道。3.0392.935
最大限度3.1913.026
最小2.9292.856
0.2620.170
镀膜厚度(μm)